采用晶格常數和表面能都與CBN非常接近的金剛石作為(wei)襯(chen)底(di)(di)，可以實現CBN的(de)(de)異質(zhi)外(wai)(wai)延。這些外(wai)(wai)延單晶CBN薄膜(mo)制備的(de)(de)成功使(shi)得有效地應用(yong)(yong)CBN薄膜(mo)制備半(ban)導體器件成為(wei)可能(neng)。此外(wai)(wai)，也可利用(yong)(yong)其(qi)他材料作為(wei)襯(chen)底(di)(di)來(lai)進行CBN膜(mo)的(de)(de)異質(zhi)外(wai)(wai)延。比如硅襯(chen)底(di)(di)預處理后可以實現TBN在(zai)襯(chen)底(di)(di)上的(de)(de)直接(jie)生長，可有效降低(di)過(guo)渡(du)層的(de)(de)厚度。