2025年兩院院士增選(xuan)有(you)效候(hou)選(xuan)人(ren)名單(dan)已(yi)于8月(yue)20日公布36。中國科學院有(you)效候(hou)選(xuan)人(ren)639人(ren)，中國工程院有(you)效候(hou)選(xuan)人(ren)660人(ren)。

       在這份名單中，多位長期深耕于金剛石及寬禁帶半導體領域的學者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長、超寬禁帶半導體電子學到碳化硅產(chan)業化等多(duo)個(ge)前沿領域。

       院士增選總體情況

       2025年兩院(yuan)(yuan)院(yuan)(yuan)士(shi)增選工(gong)作于(yu)4月25日(ri)正(zheng)式啟(qi)動，中國科(ke)學院(yuan)(yuan)和中國工(gong)程(cheng)院(yuan)(yuan)增選名額各不超過100名。

       中國科(ke)(ke)學(xue)(xue)院公(gong)布(bu)的增選(xuan)有效候選(xuan)人(ren)(ren)(ren)中，數學(xue)(xue)物理學(xue)(xue)部(bu)98人(ren)(ren)(ren)，化(hua)學(xue)(xue)部(bu)105人(ren)(ren)(ren)，生命科(ke)(ke)學(xue)(xue)和醫學(xue)(xue)學(xue)(xue)部(bu)125人(ren)(ren)(ren)，地學(xue)(xue)部(bu)96人(ren)(ren)(ren)，信息技(ji)術科(ke)(ke)學(xue)(xue)部(bu)61人(ren)(ren)(ren)，技(ji)術科(ke)(ke)學(xue)(xue)部(bu)104人(ren)(ren)(ren)，另有特別推薦領(ling)域(yu)50人(ren)(ren)(ren)。

       中國工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)院有效(xiao)候選人(ren)分(fen)布在各個學部(bu)，包括機械與運(yun)載(zai)工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)學部(bu)68人(ren)，信(xin)息與電子工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)學部(bu)68人(ren)，化工(gong)(gong)、冶金與材料工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)學部(bu)71人(ren)等(deng)。

       金剛石及寬禁帶半導體領域候選人

       在此次(ci)候(hou)選人(ren)名單中，眾(zhong)多長期深耕于(yu)金(jin)剛石及寬禁帶半(ban)導(dao)體領(ling)域的科研(yan)(yan)團隊脫穎而(er)出，他們(men)的入選不僅凸顯了該領(ling)域在科研(yan)(yan)層面的重(zhong)要價值(zhi)，更彰顯了其(qi)在國家戰略布局與產業應用中的關鍵地位。以下為相關研(yan)(yan)究團隊介(jie)紹（排(pai)名不分先后，如有遺漏，歡迎補充指正）：

       1、哈爾濱工(gong)業大學朱嘉琦團隊(dui)(dui)：長期專注于金(jin)剛(gang)石晶體材料(liao)、透(tou)明件(jian)材料(liao)以及(ji)高(gao)導(dao)(dao)熱(re)復合材料(liao)等(deng)領域的(de)研究。單(dan)晶金(jin)剛(gang)石憑借其極佳的(de)電學性(xing)能、最高(gao)的(de)材料(liao)熱(re)導(dao)(dao)率、良好(hao)的(de)化學惰(duo)性(xing)以及(ji)高(gao)的(de)輻射(she)抗性(xing)，被譽為(wei)終極半(ban)導(dao)(dao)體材料(liao)。該團隊(dui)(dui)在金(jin)剛(gang)石成工(gong)藝、金(jin)剛(gang)石高(gao)導(dao)(dao)熱(re)及(ji)半(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)應用等(deng)方面成果斐然，取得了顯著進展。

       2、西安(an)電(dian)(dian)子科(ke)技大(da)學(xue)張進成(cheng)團隊：研(yan)究方向聚焦于超寬(kuan)(kuan)禁(jin)帶半(ban)導體電(dian)(dian)子學(xue)（涵蓋氧化鎵、金剛(gang)石、氮(dan)化鋁(lv)等）、寬(kuan)(kuan)禁(jin)帶半(ban)導體電(dian)(dian)子學(xue)（如(ru)氮(dan)化鎵等）以及大(da)功率射頻芯(xin)片(pian)與電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子芯(xin)片(pian)。近年來，團隊在超寬(kuan)(kuan)禁(jin)帶半(ban)導體研(yan)究領域取得(de)一系列突破(po)性成(cheng)果，例如(ru)金剛(gang)石場效應晶體管(guan)在柵(zha)長為2μm時，仍(reng)能保持(chi)400mA/mm的高電(dian)(dian)流密度(du)，并可在200°C環(huan)境下穩定(ding)工(gong)作。

       3、哈(ha)爾濱工業大(da)學(xue)武(wu)高(gao)(gao)輝團隊：首創大(da)氣環境(jing)下金屬基復(fu)合材料浸(jin)滲(shen)、成型、界面反控制同步制造技術。借助(zhu)這一(yi)創新技術，實現(xian)了低成本、綠色(se)化制造的金剛石(shi)/鋁和金剛石(shi)/銅超高(gao)(gao)導熱(re)復(fu)合材料及凈成型構件，成功攻克高(gao)(gao)功率(lv)器件的散(san)熱(re)難題(ti)。

       4、華僑大學(xue)(xue)徐(xu)西鵬團隊：研(yan)究方向為“硬脆材料先(xian)進加工科學(xue)(xue)與(yu)(yu)技術(shu)”，重點探索(suo)“半導體材料精密超精密磨粒加工新技術(shu)”。目前，徐(xu)西鵬主持(chi)國家自(zi)然科學(xue)(xue)基金重點項(xiang)目“晶圓級單晶金剛石襯底的(de)活性硬質(zhi)磨粒協同加工原(yuan)理與(yu)(yu)關(guan)鍵技術(shu)研(yan)究”。

       5、山東大學徐現剛(gang)團(tuan)隊(dui)：在碳(tan)化硅領域成績卓著，于(yu)碳(tan)化硅生長機理、高純半絕(jue)緣(yuan)創制、裝備(bei)(bei)研(yan)發及產業化方面取得(de)系列(lie)(lie)創造性成果(guo)。團(tuan)隊(dui)先后突破2 - 12英寸碳(tan)化硅單晶(jing)生長技(ji)術，在我國首次攻克高純半絕(jue)緣(yuan)碳(tan)化硅晶(jing)體(ti)制備(bei)(bei)系列(lie)(lie)技(ji)術壁壘(lei)。相關成果(guo)應用于(yu)雷達系統核心器件，已全面列(lie)(lie)裝于(yu)先進戰機、制導(dao)武器、大型戰艦等我軍主力裝備(bei)(bei)。

       6、北(bei)京大學沈波團隊(dui)：主要從事III族(zu)氮化物（GaN基(ji)）寬禁帶(dai)(dai)半導體物理(li)、材料和器件(jian)研究。在(zai)(zai)強(qiang)極化、高能帶(dai)(dai)階躍(yue)體系(xi)(xi)中二維(wei)電子(zi)氣輸運規律(lv)、GaN基(ji)異質(zhi)結構外延生長(chang)和缺(que)陷控制等(deng)方(fang)(fang)面取(qu)得重要進展，在(zai)(zai)國內外同行中產生一(yi)定影(ying)響。此外，在(zai)(zai)GaN基(ji)異質(zhi)結構二維(wei)電子(zi)氣自旋性(xing)質(zhi)、GaN基(ji)量子(zi)阱子(zi)帶(dai)(dai)躍(yue)遷器件(jian)等(deng)方(fang)(fang)面也取(qu)得一(yi)系(xi)(xi)列成果(guo)。

       7、西安電子科(ke)技大學馬(ma)曉華團隊：二十余年(nian)來致力于(yu)寬禁帶半導體(ti)基(ji)礎創(chuang)新和關(guan)鍵技術研究。“高(gao)能效超(chao)寬帶氮化(hua)鎵(jia)射頻功率放大器關(guan)鍵技術及(ji)在5G通(tong)信產業化(hua)應用”項(xiang)目榮獲2023年(nian)度國家(jia)科(ke)學技術進步一等獎。

       8、中國(guo)科學院物(wu)理研究所陳小龍團隊(dui)：長(chang)期投身于功能晶(jing)體(ti)(ti)材料研究工(gong)(gong)作，發(fa)展(zhan)了寬禁帶半(ban)導體(ti)(ti)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)體(ti)(ti)生(sheng)(sheng)長(chang)新方(fang)法，推動我國(guo)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)體(ti)(ti)生(sheng)(sheng)長(chang)和(he)加工(gong)(gong)技術實現(xian)從(cong)無到(dao)有、從(cong)零到(dao)一的跨越，達成(cheng)(cheng)產業自主可控。通(tong)過發(fa)現(xian)并利用(yong)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)/石墨異(yi)質雙界(jie)面的自發(fa)成(cheng)(cheng)核規律，發(fa)明電場 - 磁場 - 熱(re)場高效耦合的單晶(jing)生(sheng)(sheng)長(chang)方(fang)法和(he)裝備(bei)，攻克(ke)晶(jing)體(ti)(ti)擴徑這(zhe)一學術難題。在(zai)國(guo)內率(lv)先開展(zhan)成(cheng)(cheng)果轉化(hua)(hua)(hua)，創立國(guo)內首(shou)家碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)體(ti)(ti)產業化(hua)(hua)(hua)公(gong)司。提出界(jie)面能調控晶(jing)型理論(lun)，通(tong)過設計助溶劑(ji)成(cheng)(cheng)份，在(zai)國(guo)際上首(shou)次生(sheng)(sheng)長(chang)出具有實用(yong)價值的2 - 6英寸的3C - SiC晶(jing)體(ti)(ti)，使3C - SiC/SiO2柵氧界(jie)面態密(mi)度降低1個數量級。

       9、株洲中(zhong)(zhong)車(che)時代半導體有限公司劉國友團隊：自2008年起主(zhu)持大功率IGBT芯片與(yu)(yu)模塊(kuai)技(ji)術的研(yan)究(jiu)與(yu)(yu)開發工作，2010年著手組建功率半導體林肯(ken)研(yan)發中(zhong)(zhong)心(xin)，聚焦(jiao)IGBT和碳化硅技(ji)術。

       領域重要意義與發展前景

       金(jin)剛(gang)石被稱為(wei)“終極(ji)半導(dao)(dao)體材料(liao)”，具(ju)有極(ji)佳(jia)的(de)電學性(xing)能、最(zui)高的(de)材料(liao)熱(re)導(dao)(dao)率(lv)、良好的(de)化學惰性(xing)和高的(de)輻射抗性(xing)。在“后摩爾(er)”時代(dai)，金(jin)剛(gang)石是(shi)實(shi)現電子、光電子和量(liang)子芯(xin)片(pian)的(de)基礎(chu)性(xing)材料(liao)。

       2020年我國人(ren)造金剛(gang)石產量為207億(yi)克拉，較2015年增加51億(yi)克拉，占全球90%以(yi)上市場(chang)份額。隨(sui)著CVD（化學氣相沉積(ji)）法(fa)的(de)發(fa)展，人(ren)造金剛(gang)石已經可與(yu)天然鉆石相媲美甚至在橫(heng)向(xiang)面積(ji)、純(chun)度等方面更占優(you)勢。

       寬禁帶半導體(ti)材料如(ru)碳化(hua)硅、氮(dan)化(hua)鎵等，是制(zhi)造高溫、高頻、大功率電(dian)子(zi)器件的關鍵材料，在5G通(tong)信、新(xin)能(neng)(neng)源(yuan)汽(qi)車(che)、智能(neng)(neng)電(dian)網(wang)等領域具有廣泛應用(yong)前景。

       我國在寬禁帶半導體(ti)領域已經取得了(le)顯(xian)著(zhu)進展，突破了(le)國際(ji)封鎖(suo)，實現(xian)了(le)設備自主可控，對產業升級及(ji)下一代半導體(ti)領域實現(xian)彎道超(chao)車有著(zhu)重要(yao)作(zuo)用。